1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und 1EDN7116GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,84
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 1.5 A 4 A (typ)
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 °C to +125 °C
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

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