1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et 1EDN7116GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7126GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,84
Fonction Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 1.5 A 4 A (typ)
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 °C to +125 °C
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Statut RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Fiches techniques et ressources

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