1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon y 1EDN7116GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7126GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,29 $0,84
Función Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 1.5 A 4 A (typ)
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 °C to +125 °C
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Estado RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Hojas de datos y recursos

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