1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und 1EDN7136UXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,74
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET High-side / Low-side gate driver IC
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 1 A
Peak Sink Current 1.5 A 2 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 C to +150 C
Gehäuse PG-VSON-10-4 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Halogenfrei — Yes (per Infineon product family convention)

Datenblätter & Ressourcen

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