1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon e 1EDN7136UXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,29 $0,74
Função Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET High-side / Low-side gate driver IC
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 1 A
Peak Sink Current 1.5 A 2 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +150 C
Encapsulamento PG-VSON-10-4 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Número de saídas — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product family convention)

Fichas técnicas e recursos

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