1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon y 1EDN7136UXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,29 $0,74
Función Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET High-side / Low-side gate driver IC
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 1 A
Peak Sink Current 1.5 A 2 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +150 C
Encapsulado PG-VSON-10-4 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Número de salidas — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Sin halógenos — Yes (per Infineon product family convention)

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