1EDN7126GXTMA1 vs TLF11251LDXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und TLF11251LDXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 TLF11251LDXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,98
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) CMOS / TTL (non-inverting)
Ausgangskonfiguration — Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side)
Ausgangstyp — Non-Inverting
Peak Output Current — 2.5 A (source/sink)
Anstiegszeit — 60 ns (typical)
Abfallzeit — 60 ns (typical)
Supply Voltage Range — 3.5 V to 7 V
Number of Drivers — 1 (half-bridge)
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1)
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Shoot-through protection, UVLO

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