1EDN7126GXTMA1 vs TLF11251LDXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et TLF11251LDXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7126GXTMA1 TLF11251LDXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,98
Fonction Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) CMOS / TTL (non-inverting)
Configuration de sortie — Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side)
Type de sortie — Non-Inverting
Peak Output Current — 2.5 A (source/sink)
Temps de montée — 60 ns (typical)
Temps de descente — 60 ns (typical)
Supply Voltage Range — 3.5 V to 7 V
Number of Drivers — 1 (half-bridge)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1)
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Shoot-through protection, UVLO

Fiches techniques et ressources

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