1EDN7146UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7146UXTSA1 von Infineon und 2EDN7533RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146UXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,55
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Funktion — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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