27C512-10 vs 27C512-20 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 27C512-10 von Texas Instruments und 27C512-20 von Fujitsu. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Abgekündigt

Spezifikationsvergleich

Parameter 27C512-10 27C512-20
Marke Texas Instruments Fujitsu
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,70 $4,10
Speichergröße 512 Kbit —
Speicherorganisation 64K x 8 64K x 8
Speichertyp OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Schnittstelle Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Gehäuse 28-pin DIP CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window)
Montageart Through Hole Surface Mount
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status unknown —
Technology — CMOS
Density — 512 Kbit (524,288 bits)
Maximum Access Time — 200 ns
Outputs — 3-state
Operation — Asynchronous
Word Size — 8 bit
Address Count — 65,536 words

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