27C512-10 vs 27C512-20 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 27C512-10 par Texas Instruments et 27C512-20 par Fujitsu. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre 27C512-10 27C512-20
Marque Texas Instruments Fujitsu
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Fin de vie Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,70 $4,10
Taille de mémoire 512 Kbit —
Organisation de la mémoire 64K x 8 64K x 8
Type de mémoire OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Interface Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Boîtier 28-pin DIP CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS unknown —
Technology — CMOS
Density — 512 Kbit (524,288 bits)
Maximum Access Time — 200 ns
Outputs — 3-state
Operation — Asynchronous
Word Size — 8 bit
Address Count — 65,536 words

Fiches techniques et ressources

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