27C512-10 vs 27C512-20 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 27C512-10 por Texas Instruments e 27C512-20 por Fujitsu. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Fim de vida

Comparação de especificações

Parâmetro 27C512-10 27C512-20
Marca Texas Instruments Fujitsu
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Fim de vida Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,70 $4,10
Tamanho da memória 512 Kbit —
Organização da memória 64K x 8 64K x 8
Tipo de memória OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Interface Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Encapsulamento 28-pin DIP CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS unknown —
Technology — CMOS
Density — 512 Kbit (524,288 bits)
Maximum Access Time — 200 ns
Outputs — 3-state
Operation — Asynchronous
Word Size — 8 bit
Address Count — 65,536 words

Fichas técnicas e recursos

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