2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2103S06FXUMA1 von Infineon und 2EDL6014ACG2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2103S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,94 $1,18
Funktion Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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