2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon e 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2103S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $1,18
Função Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuração de saída — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fichas técnicas e recursos

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