2ED2183S06FXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2183S06FXUMA1 von Infineon und 1EDI20N12AFXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2183S06FXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,45
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Anstiegszeit 15 ns —
Abfallzeit 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 2 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
RoHS-Status Compliant —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Ausgangskonfiguration — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +125 °C
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

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