2ED2183S06FXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon et 1EDI20N12AFXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2183S06FXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $1,45
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
Nombre de sorties 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Temps de montée 15 ns —
Temps de descente 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 2 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
Statut RoHS Compliant —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Configuration de sortie — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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