2ED2304S06FXUMA1 vs IR2109SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2304S06FXUMA1 von Infineon und IR2109SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2304S06FXUMA1 IR2109SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,66 $1,05
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-DSO-8-910 (DSO-8) SOIC-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Anstiegszeit — 200 ns
Abfallzeit — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern