2ED2304S06FXUMA1 vs IR2109SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon e IR2109SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2304S06FXUMA1 IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $1,05
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-DSO-8-910 (DSO-8) SOIC-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 2 —
Status RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tempo de subida — 200 ns
Tempo de descida — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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