2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2410EMXUMA1 von Infineon und 2EDR8258XXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2410EMXUMA1 2EDR8258XXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,78 $0,74
Driver Type High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver —
Anzahl der Ausgänge 2 (independent) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Configuration Non-Inverting —
Supply Voltage Range (VS) 8 V to 36 V —
Logic/VBAT Voltage Range 3 V to 58 V —
Source Current (typ.) 175 mA —
Sink Current (typ.) 350 mA —
Anstiegszeit 2 µs —
Abfallzeit 7 µs —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C -40 °C to +125 °C
Gehäuse PG-TSDSO-24 (exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V MCU —
Protection Features Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Automotive Qualification AEC-Q100 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

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