2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2410EMXUMA1 par Infineon et 2EDR8258XXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2410EMXUMA1 2EDR8258XXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $0,74
Driver Type High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver —
Nombre de sorties 2 (independent) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Configuration Non-Inverting —
Supply Voltage Range (VS) 8 V to 36 V —
Logic/VBAT Voltage Range 3 V to 58 V —
Source Current (typ.) 175 mA —
Sink Current (typ.) 350 mA —
Temps de montée 2 µs —
Temps de descente 7 µs —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C -40 °C to +125 °C
Boîtier PG-TSDSO-24 (exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V MCU —
Protection Features Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

Fiches techniques et ressources

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