2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2410EMXUMA1 por Infineon e 2EDR8258XXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2410EMXUMA1 2EDR8258XXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,74
Driver Type High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver —
Número de saídas 2 (independent) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Configuration Non-Inverting —
Supply Voltage Range (VS) 8 V to 36 V —
Logic/VBAT Voltage Range 3 V to 58 V —
Source Current (typ.) 175 mA —
Sink Current (typ.) 350 mA —
Tempo de subida 2 µs —
Tempo de descida 7 µs —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +150 °C -40 °C to +125 °C
Encapsulamento PG-TSDSO-24 (exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V MCU —
Protection Features Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

Fichas técnicas e recursos

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