2ED2738S01GXTMA1 vs IRS2110SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2738S01GXTMA1 von Infineon und IRS2110SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2738S01GXTMA1 IRS2110SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,72
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL TTL / CMOS with hysteresis
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns —
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP 16-SOIC (SOIC-16 W)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 (1 year) 3
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C

Datenblätter & Ressourcen

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