2ED2738S01GXTMA1 vs IRS2110SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2738S01GXTMA1 제조: Infineon 및 IRS2110SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2738S01GXTMA1 IRS2110SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $0.72
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
출력 수 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL TTL / CMOS with hysteresis
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns —
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP 16-SOIC (SOIC-16 W)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 2 (1 year) 3
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
출력 구성 — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
동작 온도 범위 — -40 C to +125 C

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