2EDB9259YXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDB9259YXUMA1 von Infineon und 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDB9259YXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,46 $1,45
Product Type Isolated gate driver IC —
Number of Channels 2 (dual) —
Topology Support Half-bridge / High-side + Low-side —
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ) 38 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching [DATA_NEEDED: delay matching spec] —
VCC Operating Range 4.5 V to 18 V —
VCC Absolute Maximum 36 V —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-14 (150 mil DSO wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Package Pin Count 14 —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 30 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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