2EDB9259YXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDB9259YXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDB9259YXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,46 | $1,45 |
| Product Type | Isolated gate driver IC | — |
| Number of Channels | 2 (dual) | — |
| Topology Support | Half-bridge / High-side + Low-side | — |
| Peak Source Current | 5 A | 13.5 A |
| Peak Sink Current | 9 A | 14 A |
| Isolation Voltage (Vrms) | 3000 Vrms | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ) | 38 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Matching | [DATA_NEEDED: delay matching spec] | — |
| VCC Operating Range | 4.5 V to 18 V | — |
| VCC Absolute Maximum | 36 V | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| Boîtier | PG-DSO-14 (150 mil DSO wide-body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Package Pin Count | 14 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |