2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL5023U2DXTMA1 von Infineon und 2EDL8033G4BXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,40 $1,49
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (HS + LS)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Gehäuse PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-8-5
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C (typical industrial range) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Topologie — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Isolation Type — Junction-isolated (non-galvanic)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

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