2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL5023U2DXTMA1 par Infineon et 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,40 $1,49
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (HS + LS)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Boîtier PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-8-5
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +125C (typical industrial range) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Topologie — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Isolation Type — Junction-isolated (non-galvanic)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

Fiches techniques et ressources

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