2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL5023U2DXTMA1 por Infineon y 2EDL8033G4BXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,40 $1,49
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Número de salidas 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (HS + LS)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Encapsulado PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-8-5
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C (typical industrial range) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Topología — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Isolation Type — Junction-isolated (non-galvanic)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

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