2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL6014ACG2DXTMA1 von Infineon und 2EDL8033G4BXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $1,49
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (HS + LS)
Ausgangskonfiguration Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction-isolated (non-galvanic)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Topologie — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
RoHS-Status — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Datenblätter & Ressourcen

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