2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon et 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,49
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (HS + LS)
Configuration de sortie Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction-isolated (non-galvanic)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Topologie — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Statut RoHS — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Fiches techniques et ressources

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