2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon y 2EDL8033G4BXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $1,49
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (HS + LS)
Configuración de salida Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) Junction-isolated (non-galvanic)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Topología — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Estado RoHS — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización