2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon und 2EDR8258XXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8033G4CXTMA1 2EDR8258XXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,84 $0,74
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Isolated single-channel gate driver
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 (HS + LS) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated Magnetic (coreless transformer) coupling
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 °C to +125 °C
Gehäuse PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

Datenblätter & Ressourcen

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