2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDL8033G4CXTMA1 メーカー: Infineon および 2EDR8258XXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDL8033G4CXTMA1 2EDR8258XXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.84 $0.74
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Isolated single-channel gate driver
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
出力数 2 (HS + LS) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated Magnetic (coreless transformer) coupling
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
動作温度範囲 -40C to +125C -40 °C to +125 °C
パッケージ PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

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