2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04I065NRXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon und 6EDL04I065NRXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04I065NRXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,84 $3,92
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Topologie — 3-phase gate driver (6 channels)
Ausgangskonfiguration — Non-inverting half-bridge drivers
Maximum Blocking Voltage — 650 V
Number of Channels — 6
Driver Type — IGBT / MOSFET gate driver
Technology — Infineon thin-film SOI
Integrated Bootstrap Diode (BSD) — Yes
Over Current Protection (OCP) — Yes
Enable Input (EN) — Yes
Fault Output — Yes
Family — 6EDL04x065xR
Datasheet Document — Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url)

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