2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04I065NRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon et 6EDL04I065NRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04I065NRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,84 $3,92
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Topologie — 3-phase gate driver (6 channels)
Configuration de sortie — Non-inverting half-bridge drivers
Maximum Blocking Voltage — 650 V
Number of Channels — 6
Driver Type — IGBT / MOSFET gate driver
Technology — Infineon thin-film SOI
Integrated Bootstrap Diode (BSD) — Yes
Over Current Protection (OCP) — Yes
Enable Input (EN) — Yes
Fault Output — Yes
Family — 6EDL04x065xR
Datasheet Document — Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url)

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