2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04I065NRXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon y 6EDL04I065NRXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04I065NRXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,84 $3,92
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Número de salidas 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Topología — 3-phase gate driver (6 channels)
Configuración de salida — Non-inverting half-bridge drivers
Maximum Blocking Voltage — 650 V
Number of Channels — 6
Driver Type — IGBT / MOSFET gate driver
Technology — Infineon thin-film SOI
Integrated Bootstrap Diode (BSD) — Yes
Over Current Protection (OCP) — Yes
Enable Input (EN) — Yes
Fault Output — Yes
Family — 6EDL04x065xR
Datasheet Document — Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url)

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