2EDN7534RXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7534RXTMA1 von Infineon und 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7534RXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,40 $0,74
Funktion Low-side gate driver Single-channel isolated gate driver
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Ausgangskonfiguration Non-inverting High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Anzahl der Ausgänge — 1
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

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