2EDN7534RXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN7534RXTMA1 por Infineon y 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN7534RXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,40 $0,74
Función Low-side gate driver Single-channel isolated gate driver
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuración de salida Non-inverting High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Número de salidas — 1
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

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