2EDN7534RXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDN7534RXTMA1 от Infineon и 1ED3127MU12FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDN7534RXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,40 $0,74
Функция Low-side gate driver Single-channel isolated gate driver
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Выходная конфигурация Non-inverting High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус PG-TSSOP-8 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Количество выходов — 1
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену