2EDN7534RXTMA1 vs 2ED2738S01GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7534RXTMA1 von Infineon und 2ED2738S01GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7534RXTMA1 2ED2738S01GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,40 $0,95
Funktion Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns 120 ns
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Ausgangskonfiguration Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 2 (1 year)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
Anzahl der Ausgänge — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated

Datenblätter & Ressourcen

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