2EDN7534RXTMA1 vs 2ED2738S01GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7534RXTMA1 par Infineon et 2ED2738S01GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7534RXTMA1 2ED2738S01GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,40 $0,95
Fonction Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns 120 ns
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuration de sortie Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 2 (1 year)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
Nombre de sorties — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated

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