2EDN7534RXTMA1 vs 2ED2738S01GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN7534RXTMA1 por Infineon y 2ED2738S01GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN7534RXTMA1 2ED2738S01GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,40 $0,95
Función Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns 120 ns
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuración de salida Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) 2 (1 year)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
Número de salidas — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated

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