2EDR8258XXUMA1 vs 2ED2410EMXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDR8258XXUMA1 von Infineon und 2ED2410EMXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDR8258XXUMA1 2ED2410EMXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,78
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (independent)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40 °C to +150 °C
Gehäuse PG-DSO-14 (14-pin) PG-TSDSO-24 (exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage Range (VS) — 8 V to 36 V
Logic/VBAT Voltage Range — 3 V to 58 V
Source Current (typ.) — 175 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
Anstiegszeit — 2 µs
Abfallzeit — 7 µs
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V MCU
Automotive Qualification — AEC-Q100

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