2EDR8258XXUMA1 vs 2ED2410EMXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDR8258XXUMA1 제조: Infineon 및 2ED2410EMXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDR8258XXUMA1 2ED2410EMXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $1.78
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
출력 수 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (independent)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C -40 °C to +150 °C
패키지 PG-DSO-14 (14-pin) PG-TSDSO-24 (exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Driver Type — High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage Range (VS) — 8 V to 36 V
Logic/VBAT Voltage Range — 3 V to 58 V
Source Current (typ.) — 175 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
상승 시간 — 2 µs
하강 시간 — 7 µs
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V MCU
Automotive Qualification — AEC-Q100

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