2EDR8258XXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDR8258XXUMA1 von Infineon und 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDR8258XXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $2,84
Product Type Isolated single-channel gate driver Half-Bridge Gate Driver IC
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Junction-isolated
Number of Channels 1 —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (HS + LS)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Gehäuse PG-DSO-14 (14-pin) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern