2EDR8258XXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDR8258XXUMA1 par Infineon et 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDR8258XXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $2,84
Product Type Isolated single-channel gate driver Half-Bridge Gate Driver IC
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Junction-isolated
Number of Channels 1 —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (HS + LS)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Boîtier PG-DSO-14 (14-pin) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

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