2EDR8258XXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDR8258XXUMA1 por Infineon e 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDR8258XXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $2,84
Product Type Isolated single-channel gate driver Half-Bridge Gate Driver IC
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Junction-isolated
Number of Channels 1 —
Número de saídas 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (HS + LS)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Encapsulamento PG-DSO-14 (14-pin) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

Fichas técnicas e recursos

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