AS4C256M8D3LB-12BIN vs NT5CC256M16DP-DI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C256M8D3LB-12BIN von Alliance Memory und NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ Aktiv
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C256M8D3LB-12BIN NT5CC256M16DP-DI
Marke Alliance Memory Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 2Gbit (256M x 8) —
Schnittstelle Parallel Differential clock (CK, CK#)
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.283V ~ 1.45V 1.35V
Gehäuse / Bauform 78-FBGA (8x10.5) —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur 0°C ~ +95°C (Tc) —
Datenrate 1600 MT/s 1600 Mbps/pin (800MHz)
CAS-Latenz 11 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Refresh 7.8 us at 85°C Auto-refresh and self-refresh
RoHS-Status Compliant —
Lead Free Yes —
Density — 4Gb
Speicherorganisation — 256M x 16
Gehäuse — VFBGA-96
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +95°C (industrial)
Number of Banks — 8
On-Die Termination — Yes (ODT)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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