AS4C256M8D3LB-12BIN vs NT5CC256M16DP-DI 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C256M8D3LB-12BIN 제조: Alliance Memory 및 NT5CC256M16DP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ 활성
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C256M8D3LB-12BIN NT5CC256M16DP-DI
브랜드 Alliance Memory Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.60 $6.50
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
메모리 크기 2Gbit (256M x 8) —
인터페이스 Parallel Differential clock (CK, CK#)
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
공급 전압 1.283V ~ 1.45V 1.35V
패키지 / 케이스 78-FBGA (8x10.5) —
실장 유형 Surface Mount —
동작 온도 0°C ~ +95°C (Tc) —
데이터 속도 1600 MT/s 1600 Mbps/pin (800MHz)
CAS 레이턴시 11 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Refresh 7.8 us at 85°C Auto-refresh and self-refresh
RoHS 상태 Compliant —
Lead Free Yes —
Density — 4Gb
메모리 구성 — 256M x 16
패키지 — VFBGA-96
동작 온도 범위 — -40°C to +95°C (industrial)
Number of Banks — 8
On-Die Termination — Yes (ODT)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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