AS4C256M8D3LB-12BIN vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C256M8D3LB-12BIN por Alliance Memory y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C256M8D3LB-12BIN | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,60 | $6,50 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 2Gbit (256M x 8) | — |
| Interfaz | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.283V ~ 1.45V | 1.35V |
| Encapsulado / Carcasa | 78-FBGA (8x10.5) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ +95°C (Tc) | — |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Latencia CAS | 11 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | 7.8 us at 85°C | Auto-refresh and self-refresh |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Encapsulado | — | VFBGA-96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |